Посмотреть картинку в полный размер
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1600 МГц
Пропускная способность12800 Мб/с
Объем1 модуль 2 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)11
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11